第三代半導體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文

當?shù)貢r間8月23日，英偉達公布最新財報顯示，英偉達第二財季營收為135.07億美元，與上年同期的67.04億美元相比增長101%，與上一財季的71.92億美元相比增長88%，創(chuàng)下歷史紀錄；凈利潤為61.88億美元，與上年同期的6.56億美元相比增長843%，與上一財季的20.43億美元相比增長203%。

(資料圖)

其中，英偉達旗下數(shù)據(jù)中心業(yè)務第二財季營收為103.2億美元，與上年同期相比增長171%，與上一財季相比增長141%，創(chuàng)下歷史紀錄；英偉達旗下游戲業(yè)務第二財季營收為24.9億美元，與上年同期相比增長22%，與上一財季相比增長11%。

英偉達第二財季運營支出為26.62億美元，與上年同期的24.16億美元相比增長10%，與上一財季的25.08億美元相比增長6%。其中，研發(fā)支出為20.40億美元，上年同期為18.24億美元。

英偉達第二財季運營利潤為68.00億美元，與上年同期的4.99億美元相比增長1263%，與上一財季的21.40億美元相比增長218%。此外，英偉達預計，2024財年第三財季該公司的營收將達160億美元，上下浮動2%，這一業(yè)績展望超出分析師此前預期的125億美元。

分部來看，數(shù)據(jù)中心收入為103億美金，同比增長171%，環(huán)比增長141%，增長來自CSP和大型互聯(lián)網(wǎng)客戶，由LLM和生成式AI對Hopper和Ampere GPU的需求驅(qū)動。其中Hopper平臺放量帶來計算部分（加速卡）收入同環(huán)比增長為195%和157%，而IB架構(gòu)的配套需求使得網(wǎng)絡（Mellanox）收入同環(huán)比增長94% 、85%。

游戲業(yè)務同比增長22%，環(huán)比增長11%，主要來自RTX 40系列渠道庫存去化后的拉貨；專業(yè)可視化業(yè)務同比下滑24%，環(huán)比增長28%，影響因素主要有渠道庫存和Ada Lovelace架構(gòu)RTX產(chǎn)品爬坡；汽車業(yè)務同比增長15%，環(huán)比下滑15%，影響因素主要有自動駕駛的持續(xù)滲透和汽車需求下滑。

值得關(guān)注的是，英偉達L40S不受CoWoS產(chǎn)能限制，正在向各大服務器廠商發(fā)貨，戴爾、惠普、聯(lián)想等企業(yè)很快將提供近100種英偉達AI服務器配置，貢獻未來的收入增長。

GH200超級芯片進入全面生產(chǎn)階段，將于本季度在OEM服務器上市，并向多個超算客戶發(fā)貨。使用三星HBM3E的第二代GH200將于24年二季度上市，DGX GH200系統(tǒng)將在23年底率先提供給谷歌云、Meta和微軟。

Spectrum X由以太網(wǎng)交換機、Bluefield 3和軟件組成，整體AI性能和能效相比傳統(tǒng)以太網(wǎng)提高了1.5倍。

分析師指出，英偉達GPU需求可見性將延續(xù)到明年，而隨著供應商擴產(chǎn)和交期縮短，公司在未來幾個季度和下一財年的供應將繼續(xù)增加。此外，新的L40S GPU將有助于滿足從云到企業(yè)對多種類型工作負載不斷增長的需求。

此外，英偉達還額外批準了250億美元的股票回購。截至發(fā)稿，英偉達盤后股價漲近10%，收市后價格創(chuàng)歷史新高。

來源：今日半導體

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風電、光伏、新能源汽車、儲能等行業(yè)應用前景廣闊。

據(jù)行業(yè)機構(gòu)預測，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場將達35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場需求增長到21億美元。近年來，國內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目，全產(chǎn)業(yè)鏈項目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。

在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應用需求，意法半導體領(lǐng)先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。

第三代半導體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景，最新襯底、外延、器件技術(shù)與項目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術(shù)，凈化工程與EPC，新興化合物半導體前沿技術(shù)與應用。參觀第三代半導體重點企業(yè)與項目。

會議主題包括但不限于

國際形勢對中國第三代半導體發(fā)展的影響

第三代半導體市場及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇

6寸與8寸SiC項目投資與市場需求

SiC長晶工藝技術(shù)與設(shè)備

凈化工程與EPC工程項目實踐

8英寸SiC國產(chǎn)化進程和技術(shù)突破

SiC市場以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案

SiC與GaN外延片技術(shù)進展

大尺寸GaN長晶難點及技術(shù)展望

GaN材料技術(shù)進展

SiC與GaN器件與下游應用

功率器件封裝技術(shù)與材料

新興化合物半導體進展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅

工業(yè)參觀與考察（重點企業(yè)或園區(qū)）

最新日程如下

*以上演講報告列表將隨著會議邀請工作進展不斷更新，最終版以會場發(fā)布為準。

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中國大陸半導體大硅片項目表（月度更新）

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中國大陸8英寸晶圓廠項目表（月度更新）

中國大陸12英寸晶圓廠項目表（月度更新）

中國大陸半導體封測項目表（月度更新）

中國大陸電子特氣項目表（月度更新）

中國大陸半導體濕電子化學品項目表（月度更新）

中國大陸晶圓廠當月設(shè)備中標數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國大陸上月半導體前道設(shè)備進口數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國大陸半導體大硅片項目地圖（月度更新）

中國大陸8英寸晶圓廠項目地圖（月度更新）

中國大陸12英寸晶圓廠項目地圖（月度更新）

中國大陸半導體封測項目分布圖（月度更新）

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